技术编号：8036753
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体加工设备部件，尤其涉及一种喷嘴及反应腔室。 背景技术在半导体加工工艺中，等离子体处理方法是通过将基片放在反应腔室中，然后将基片 片表面暴露在等离体环境中，进行等离子体加工工艺。而等离子体的产生一般是反应腔室 室上部的喷嘴向反应腔室中通入反应气体，在射频的激发下形成由电子、离子、以及一部 分活性基团。反应腔室内的气体状态直接影响到等离子的形成，从而对工艺产生影响，如气体气流 的均匀性或者分布对刻蚀工艺中的刻蚀速率分布以及关键尺寸的分布都能产生一定的影 响。反应腔室内气体气流分布受工艺气体的...
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