技术编号:8036821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及高温碳化硅单晶生长炉领域,特别是涉及一种高温碳化硅单晶生 长炉的加热温控装置。背景技术在现有技术中,碳化硅作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有优异的物理和电 学性能,特别适合于制造高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电集成器件,在微电 子和光电子领域具有极好的应用前景。目前,用来生长碳化硅单晶的方法是物理气相传输法,该生长方法的实现过程是 将碳化硅籽晶和碳化硅源粉分别置于同一个密闭坩埚的顶部和底部,底部的碳化硅源粉处 于高温区,顶部的碳化硅籽晶处于低温区,在2200°C以上的高温下,底部...
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