技术编号:8037535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种用于直拉硅单晶炉的保温设备,特别是涉及一种单晶炉的保温盖板边口。技术背景硅单晶的大部分用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中,多晶硅被装进石英坩埚,加热熔化,然后,将熔硅略作降温,给予一定的过冷度,把一只特定晶向的硅单晶体(籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上提升的速度,使籽晶缩颈排除位错后长大至目标直径时,提高提升速度,使单晶体恒直径生长。在生长过程的尾期,此时埚内的硅熔体尚未完全消失,通过增加晶体的提升速度和调节向埚的供热量将晶体直径逐渐减小而形成一个尾...
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