技术编号：8038943
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于稀磁半导体制备方法技术领域，具体涉及ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的 制备方法。背景技术自美国《科学》(Science, 2000年，第287巻，第1019页)预言基于ZnO的稀磁半 导体(DMS)材料有望成为构造全新短波长自旋光电子器件以来，有关ZnO基DMS—维 纳米结构的研究陆续有报导，但其制备方法主要集中于物理或化学气相沉积，如利用热化 学气相沉积法制备的ZnOCo单晶纳米棒阵列(见《应用物理快报》，Appl. Phys. Lett. 2004 年，第85巻，第1027页)，采用激光脉冲沉积...
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