技术编号:8039098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种扩散炉,尤指一种可调式扩散炉结构。 背景技术一般生产CIGS薄膜太阳电池,首先会将一个钼(moly)基底电接触层沉积于一个 基材上(例如玻璃、不锈钢或其它功能性基材材料)。而后,将一个相关厚度的CIGS层沉 积于该钼(moly)层上。于该技术中,首先会使用一种物理气向沉积(PVD)制程(即挥发或 溅镀)、化学镀浴、或电镀制程,将这些金属(Cu/In/Ga)沉积于基材上。接续地,于一扩散炉 中,一种具有硒的气体,会于一个高达大约500至600°C的温度下,与该金属层反应,以此形 成最终的CI...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。