技术编号：8040024
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及生长单晶半导体材料的单晶炉的热屏蔽及其装置，更具体地说是生产单晶硅棒的热场屏蔽法及其装置—热屏蔽器。直拉硅晶体内的缺陷对半导体器件的收率和性能影响较大，一般地说，这些缺陷是在晶体生长和冷却期间形成的。这些缺陷的种类和浓度与晶体的生长速度和热场的温度梯度有关。G0为热场的纵向温度梯度，V是晶体的拉速，也就是单晶的生长速度，V/G0的比值称作η值。η值存在一个临界值ηc，当η值大于ηc值时，晶体中一种叫作“空位”的缺陷占主导，当η值小于ηc时，晶体中一种称作“间隙原子”的缺陷占主导，更形象地说，“空位...
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