技术编号：8042617
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底，更特别地，涉及一种制造能够容易地具有大直径的碳化硅衬底的方法以及这种碳化硅衬底。背景技术近年来，为了实现半导体装置的高反向击穿电压、低损耗以及高温环境下的使用， 已经开始采用碳化硅(SiC)作为半导体装置用材料。碳化硅是与常规上已经广泛用作半导体装置用材料的硅相比，具有更大带隙的宽带隙半导体。因此，通过采用碳化硅作为半导体装置用材料，半导体装置能够具有高反向击穿电压、下降的导通电阻等。此外，有利地，由此与采用硅作为其材料的半导体装置相比，采用碳化硅作为其材料的半导...
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