技术编号:8042670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种碳化硅单晶的制造装置,特别涉及一种能够制造在径向端部不会产生凹面的优良的单晶的、碳化硅单晶的制造装置。背景技术以往,作为碳化硅单晶的制造方法公知有一种升华再结晶法,其由包含碳化硅的晶种及升华用原料制造碳化硅单晶(以下,适当简称作单晶)。该升华再结晶法是如下方法通过加热升华用原料使其升华而产生升华气体,将升华气体供给到晶种,从而使该晶种生长为碳化硅的单晶。这里,公开了下述技术,S卩,为了汇集升华气体而将其有效地供给到晶种处,使用伴随着朝向下方去直径逐渐扩大的圆锥状引导件(例如,参照专利文献1、2...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。