技术编号:8043250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及。本发明特别是涉及供给碳化硅原料的升华气体在碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的。本申请基于在2009年11月30日在日本提出的专利申请2009-271712号要求优先权,将其内容援引于本申请中。背景技术碳化硅具有热导率高,耐热性和机械强度也优异,对辐射线耐性强等,在物理、化 学上稳定,并且能带隙(禁带宽度)宽的特征。因此,期待着向发光元件、大电力功率器件、耐高温元件、耐辐射线元件、高频元件等的应用。作为,已知在台座上配置碳化硅晶种,供给碳化硅原料的升华气体,在碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的方法。作为在台座...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。