技术编号:8044063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。背景技术外延结构,尤其异质外延结构为制作半导体器件的主要材料之一。例如,近年来, 制备发光二极管(LED)的氮化镓外延片成为研究的热点。所述氮化镓外延片是指在一定条件下,将氮化镓材料分子,有规则排列,定向生长在蓝宝石基底上。然而,高质量氮化镓外延片的制备一直是研究的难点。由于氮化镓和蓝宝石基底的晶格常数以及热膨胀系数的不同,从而导致氮化镓外延层存在较多位错缺陷。而且,氮化镓外延层和蓝宝石基底之间存在较大应力,应力越大会导致氮化镓外延层破裂。这种异质外延结构普遍存在晶格失配现象,且易形成位错等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。