技术编号：8044251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。所述方法 包括借助于第一感应加热线圈，在生长的单晶体与由硅构成的锥形管的下端之间产生 第一体积的熔融硅，所述管在下端被封闭，且围出由硅构成的转动板的中心开口，所述管延 伸到所述板的下方，且所述第一感应加热线圈设置在所述板的下方；借助于设置在所述板的上方的第二感应加热线圈产生第二体积的熔融硅；将所述管的下端熔化到产生用于第二体积的熔融硅的通道开口的程度；以及在消耗第一和第二体积的熔融硅的情况下使单晶体硅在生长的单晶体上结晶。背景技术首先细颈、然后单晶体的锥形延伸区段、最后单晶体的圆柱形区段产生...
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