技术编号:8044821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于提拉法生长Langasite晶体的原料合成方法。 背景技术Langasite是一种新兴压电材料,可以应用在表面声波(surface acousticwave, SAW)及体声波(bulk acoustic wave,BAff)等组件上。将LGS晶体与现今最普遍使用的石英晶体相互比较,具有以下的优点(1)具有较佳的频率稳定性;(2)较石英高出3倍的机电耦合系数,并与钽酸锂(LiTO3)晶体接近的高机电耦合系数(K = 0. 0. 50% );(3)更低的等效电阻值;(4)比石英更宽的透过波...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。