技术编号：8044833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及。 背景技术硅单晶是微电子制造业的基础材料，它的性能与其中的杂质有紧密关系。从20世纪80年代开始，研究者对硅中的氮杂质开展了大量的研究工作，发现氮杂质能够在多方面提高硅片的性能，满足超大规模集成电路的要求。首先，氮杂质能够提高硅片的机械性能， 减少硅片在器件制造过程中的翘曲；其次，氮杂质能够减少硅单晶中的空洞型缺陷的尺寸， 使其在后续的热处理过程中更容易消除；第三，氮杂质能够促进直拉硅片中的氧沉淀，提高硅片的内吸杂能力，从而有利于提高集成电路的成品率。目前，在单晶硅中掺氮...
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