技术编号：8045094
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的外延设备。背景技术外延设备，即用于在衬底上生长外延层的设备，例如MOCVD设备，是生产LED (发光二极管)外延片的关键设备。通过调整工艺气体和工艺时间，利用外延设备可以在LED衬底片上沉积各种薄膜，包括决定LED芯片发光性能的多量子阱结构。在沉积多量子阱的工艺过程中，为了保证薄膜的均匀性，一般对衬底表面的温度均匀性要求极高。外延设备的工艺时间一般较长，较为典型的情况是，5-6个小时才能完成一个完整的工艺过程。为了提高外延设备的生产效率，传统上采用同时可以摆放...
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