技术编号：8045314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种单晶高K栅介质材料及其制备方法，属于半导体技术领域。背景技术微电子工业的迅猛发展，使得作为集成电路核心器件的金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)的特征尺寸正以摩尔定律的 速度缩小。高k材料已经初步替代了传统的SiO2用于45nm和32nm技术节点。然而，随着器件集成度以及运算速度的更进一步提高，当前的高k材料(HfxSiyOzNy)的等效氧化层厚度(EOT)低于O. 5nm以下时，由于量子隧穿效应的影响，其将失去其介电性能，导致器件无法正常工作，这对微电子器件的性能、可靠性和寿命产...
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