技术编号:8045433
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制备ρ型掺杂IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法,具体地说是一种利用化学气相沉积原位掺杂制备P型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法。背景技术II-VI族宽禁带半导体纳米材料因其在纳米光电子等方面的巨大潜力成为了当前的研究热点。II-VI族准一维半导体纳米材料,包括SiO、SiS、a^e、ZnTe和CdS纳米线、纳米棒和纳米带等,具有量子尺寸效应、表面效应等诸多低维效应,由他们制成的纳米光电子器件,不但能够突破目前电路小型化与光电集成上碰到的困难,而且由于其本身的优良特性,相应纳米...
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