技术编号：8045951
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体生产技术领域，特别是涉及一种。背景技术化学气相外延(CVD或VPE)技术广泛用于制备各种半导体薄膜器件，包括微电子芯片、发光二极管(LED)、太阳光伏电池等。化学气相外延的基本过程是，将源气体从气源引入反应器，气体粒子通过输运(对流和扩散)到达衬底表面，在高温衬底上由于热激发而发生化学反应，从而在晶片上沉积单晶或多晶薄膜。在化学气相外延薄膜制备中，一个主要的困难是如何实现薄膜厚度和组分的均勻。生长出厚度和组分均勻的薄膜材料，最关键的是到达衬底各点的反应物浓度应尽量保持均勻一致。而由于气体进口...
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