技术编号：8047029
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于根据直接结合工艺制造双面金属化陶瓷衬底的方法。 背景技术双面金属化陶瓷衬底通常是已知的。这种金属陶瓷衬底尤其在功率半导体模块的区域用作电路载体。这些电路载体包括顶侧和底侧，设有铜金属化的陶瓷，至少一个金属化侧利用其呈现电路结构。用于通过共熔结合制造这些金属陶瓷复合物的已知方法通常指直接结合工艺(直接铜结合，DCB)。US3, 994，430和EP0085914描述了用于根据直接结合工艺制造金属陶瓷衬底的方法。已知的制造工艺具有共同的因素，即金属板或箔片与陶瓷之间的连接的形成通过液相结合工艺实现...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。