技术编号：8047036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，属于 C30B单晶生长领域。背景技术降温法育晶装置是从溶液中培育单晶的一类重要装置，在张克从等编著的“晶体生长科学与技术”(第二版，上册)第204页至208页对各类降温法育晶装置有详细的介绍， 该书由科学出版社于1997年出版，在各类降温法育晶装置中，双浴槽降温法育晶装置具有突出的优点，在上述专著的第206页的图3. 20中展示了双浴槽降温法育晶装置的构造，该装置的结构可以扼要地描述如下该装置主要结构包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装...
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