技术编号:8048458
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。更特定言之,本发明涉及基于恰克拉斯基方法 (Czochralski method)(下文称为“CZ方法”)的,该方法可在从硅熔体的分离处理过程中防止出现位错,进而改善生产的硅单晶分离表面的形状。背景技术CZ方法包括以下步骤,即在坩埚中加热原料多晶硅以生产原料熔体、将晶种浸没在原料熔体中以及最终通过逐渐回绕附接至晶种的线而提升生产好的硅单晶。该方法进一步包括生长出具有逐渐延伸锥体直径的锥形区域(亦即延伸直径区域),该区域从与晶种的接触表面伸展;接着,当晶体直径达到目标直径时,生长直体区域 (亦...
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