技术编号:8049184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及适用于发光器件中的III族氮化物晶体衬底、发光器件和它们的制造方法。背景技术发现III族氮化物晶体衬底具有作为多种半导体器件的衬底的极大用途,所述半导体器件包括光电器件元件和电子器件。对于多种使用III族氮化物晶体衬底的半导体器件的特性的改善,要求所述衬底具有低位错密度和有利的结晶度。而且,从III族氮化物晶体衬底的利用效率的观点来看,衬底主面的表面积为IOcm2以上,优选20cm2以上,被认为是必要的。因此,已经提出了大批制造低位错密度的III族氮化物晶体衬底的多种技术。(例如,参见日本未审专利...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。