技术编号:8051451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种直拉硅单晶炉的配套装置,特别涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏装置。背景技术目前,采用直拉法每生产一颗长度2米左右的8寸硅单晶等径用时35_40h,开炉时间长、功耗高,生产效率低。因此,要解决上述问题,主要是提高晶体生长速度,缩短拉晶时间;从根本上讲,就是要加大晶体与熔硅之间固液界面的温度梯度,加快结晶潜热的释放, 即提高晶体的冷却速率。高温炉体以及熔硅的热辐射是阻碍晶体有效、快速冷却的主要原因。通常情况下,直拉硅单晶炉配有等静压高纯石墨制的热屏,其具有上下贯通的筒形结构,并且上口大于下口,下口略...
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