技术编号:8052227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体器件如发光元件、电子元件或半导体传感器中使用的GaN 晶体衬底、该制造GaN晶体的方法以及制造半导体器件的方法,其中该GaN晶体衬底被选作衬底。背景技术GaN晶体衬底对于半导体器件如发光元件、电子元件或半导体传感器的衬底是非常有用的。这种GaN晶体衬底通过将由汽相处延如HVPE (氢化物汽相处延)或MOVPE (金属有机汽相处延)生长的GaN晶体切割为预定形状的衬底并磨削(grind)、研磨(lap)和/ 或刻蚀其主表面来形成。为了通过在晶体生长表面上形成具有良好结晶性(意味着晶体中的原...
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