技术编号:8052708
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种Mg4Nb2O9单晶体的光学浮区生长方法,属于化合物晶体生长技术领域。背景技术在铌酸盐晶体中Mg4Nb209(铌酸镁)具有良好的介电和优异的光致发光性能。 Mg4Nb2O9单晶体具有刚玉结构,属三方晶系,空间群为P_3cl (No. 165),晶格常数为a = b =5. 1612,c = 14. 028,在c轴方向层状排列,在生长过程中非常容易发生劈裂。另外,从 MgO-Nb2O5的相图中可以得到ite4Nb209熔点为1720°C,当M^Nb2O9降温到1200°C相变点后会分解为MgO和...
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