技术编号:8053305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种生长SrTiO3薄膜的方法,尤其涉及一种同质外延生长具有原子级精度平整和严格化学配比的极性SrTiO3(IlO)薄膜的方法。背景技术利用分子束外延(MBE)技术生长薄膜,能够有效减少缺陷密度,得到高质量的薄膜,比如利用分子束外延生长的半导体GaAs/AKiaAs界面的二维电子气,其载流子迁移率可以达到 IO7CmW (文献 1 D. G Schlom and L. N. Pfeiffer, Nature Mater. 9, 881 (2010))0但是用分子束外延方法制备复杂氧化物SrTiO3...
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