技术编号:8058453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及生产硅单晶的装置,特别涉及一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置。背景技术采用常规直拉法制备硅单晶时,首先将多晶硅料置于一个石英坩埚中,待多晶硅料完全熔化后,下降籽晶至与硅熔体液面接触、稳温后,便可以进行拉制单晶。由于掺杂物在固相中的溶解度小于其在液相中的溶解度,在硅单晶的拉制过程中,固液界面处会发生偏析现象,即处于固液交界处的掺杂剂只有部分随硅熔体一同凝固为单晶,还有一部分则会进入到硅熔体中。这样就使得在硅单晶的拉制过程中,硅熔体中的掺杂物浓度会不断提高,硅单晶的电阻率随之降低,导致硅单晶的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。