技术编号:8063347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种非金属晶体的制造设备,特别涉及一种单晶炉中炉体升降机构。背景技术硅单晶生长目前正朝着高纯度、高完整性、高均勻性和大直径方向发展,满足集成电路特别是极大规模集成电路对单晶质量有严格的要求。有效控制单晶中的氧和碳的含量,以及改变杂质的径向和轴向的均勻性具有重要的意义,在晶体生长设备中引入勾形磁场能够有效地抑制熔体的流动,改变固液交接面的形状,从而减少杂质的含量并改变其在晶体中的分布。勾型磁场需要利用升降装置来进行位置调整及精确定位。一方面,为了有效抑制熔体的对流,要求勾型磁场产生的磁感应强度在...
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