提高单晶硅晶棒中氧含量的装置的制作方法技术资料下载

技术编号:8063359

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技术领域本实用新型涉及一种提高单晶硅晶棒中氧含量的装置。 背景技术硅单晶晶棒的质量是否合格的一个重要衡量指标是晶棒中的氧含量及氧浓度分布。现有技术中,单晶硅晶棒的拉制过程中,为控制单晶头尾电阻率,提高单晶良率,掺杂具有挥发性的As、Sb掺质长晶热场将往封闭式热场方向发展。而封闭式的热场设计,使得晶棒中的氧含量降低。氧含量降低的一个原因是,在长晶的过程中,晶棒中的绝大部分氧是通过石英坩埚的分解所提供,熔融的硅与石英坩埚接触而使石英坩埚受热产生部分分解。随着晶棒的不断长长,石英坩埚中的硅熔汤逐步减少。硅熔汤减少后,与石...
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