技术编号:8063896
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及晶体生长,具体涉及熔体生长,特别是结合提拉、泡生和温梯等多种生长方式的一种综合的熔体生长方法。背景技术目前,从熔体中生长晶体是制备晶体最常用的和最重要的一种方法。电子学、光学等现代技术应用中所需要的单晶材料,大部分是用熔体生长法制备的。例如Si,Ge,CaAs,GaP,LiNbO3,NdYAG,NdCrGsGG,Al2O3和TiAl2O3晶体等,以及某些碱金属和碱土金属的卤族化合物等。许多晶体早已进入不同规模的工业化生产。熔体中生长晶体的方法多种多样,例如提拉法,首先是在熔体中引入籽晶形成一个单晶...
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