技术编号：8065097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。背景技术 重掺直拉硅单晶用来生产外延衬底。在低电阻率的重掺衬底上长一层高电阻率的外延层可以解决双极晶体管的高击穿电压(要求使用高电阻率的硅片)与低集电极电阻的矛盾，可以降低双极晶体管的功率消耗，改善其高频讯号的回应效果。在低电阻率的重掺硅衬底上长一层高电阻率的硅外延层也可用来解决CMOS元件的闭锁问题。器件制造需要低的衬底电阻率，但晶体中的掺杂剂的浓度受其在晶体中的固溶度的限制，N型掺杂剂在硅单晶中的固溶度分别是1.3×1021atoms/cm3(...
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