技术编号：8065918
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要描述了非热注射合成半导体纳米晶体的方法。例如，多足硒化镉纳米晶体可以通过包括以下的方法制备将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。专利说明砸化镉多足纳米晶体的制备方法背景技术[0001]纳米晶体的支化拓扑结构，尤其是多足(mult1-podal)(包括三足和四足)形状，可以潜在地引起与球形纳米颗粒不同的多种有意义的机械、光学/电学以及化学特性，并因此可用于增强聚合物、组装材料以及制造光伏器件。然而，通常采...
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