技术编号:8066536
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供了一种纳米超声发生装置,其包括第一导电层;第二导电层;第一高分子绝缘层,其位于所述第二导电层的第一侧表面上;以及压电纳米线阵列,其位于第一导电层的第一侧表面和第一高分子绝缘层的第二侧表面之间,且垂直生长在所述第一导电层的第一侧表面或者所述第一高分子绝缘层的第二侧表面上;所述第一导电层与所述第二导电层连接外加交流电压,使压电纳米线阵列振动而能够产生超声波。另外,本发明还提供一种制作纳米超声发生装置的方法以及与纳米超声发生装置具有相同工作原理的离子导入装置。本发明的纳米超声发生装置体积小,可以根据需要...
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