技术编号:8066870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚,包括由底部与侧壁组成的坩埚本体,所述的坩埚为分段式坩埚结构,坩埚本体根据材料的不同自上到下至少分成两段,包括上层的碳-碳复合材料的侧壁和下层的石墨材料的底部,侧壁上均匀分布有多个导热孔;所述的导热孔直径为5~20mm,导热孔边界之间的距离根据不同的孔密度为10~50mm;所述侧壁上均匀分布所述导热孔的区域为距离侧壁上沿2~6cm,向下垂直方向的宽度为16~25cm,该区域侧壁的内表面平行于坩埚的中心轴。本发明所述的坩埚具有导热性好,温度控制性能好,使用寿命长,装...
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