技术编号：8068076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供一种。所述方法包括以下步骤S1，在坩埚底部均匀铺设碎硅料，在碎硅料上放置一具有规则形状的多晶硅块后装入硅原料；S2，将坩埚置于定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热至一定温度后向上打开隔热笼至一定位置，保持坩埚底部温度低于碎硅料的熔点且坩埚上下具有较大温差，调节控温热电偶控制硅原料熔化界面的推进速度，待碎硅料部分熔化后进入长晶阶段；S3，调节控温热电偶的温度和隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在未熔化的碎硅料上迅速成核，形成均匀的小晶粒，小晶粒在竖直向上的温度梯度下自下向上竖直生长；S4，待熔...
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