技术编号:8068077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要,电阻率可达4000-5000Ω·cm,它包括以下工序将籽晶和多晶硅对中,抽真空,通氩气,预热,熔接,缩细颈,放肩及放肩至等径,收尾工序,其中所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料,所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶,多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单,实用,可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。专利说明—种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法技术领域[0001]本发明涉及,特别是一种拉制电阻率在4000-5000 Ω.cm的区熔单晶硅的工艺方法。背景技术[0002]硅单晶体作...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。