技术编号:8068494
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供制造单晶锭的方法,以及单晶锭和由该单晶锭制造的晶片。根据实施方式制造单晶锭的方法包括在腔室内的坩埚中形成硅熔融物;在所述硅熔融物上制备晶种;以及由所述硅熔融物生长单晶锭;并且将所述腔室的压力控制在90托至500托的范围内。专利说明制造单晶锭的方法、单晶锭和由该单晶锭制造的晶片技术领域[0001]本发明涉及一种制造单晶锭的方法、一种单晶锭以及一种由该单晶锭制造的晶片。背景技术[0002]为了制造半导体,必须制造晶片;而为了制造晶片,单晶硅必须首先以晶锭的形式生长。为此,可米用Czochralski ...
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