技术编号:8068569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及构造成装纳熔融半导体材料的容器。所述容器包括高纯度熔凝二氧化硅内衬和靠近内衬外表面的熔凝二氧化硅背衬,所述高纯度熔凝二氧化硅内衬具有限定了内部空间的基底和侧壁。专利说明[0001] 相关申请的交叉参考[0002]本申请根据35U.S.C.§ 120,要求2011年4月25日提交的美国申请系列号第13/093,336号的优先权,本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。技术领域[0003]本发明一般地涉及构造成装纳熔融半导体材料的容器,更具体地涉及包含致密、高纯度内衬和能够支撑所述内衬的多孔、绝...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。