技术编号：8069151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要确定硅样品中的掺杂剂杂质的浓度的方法包括提供包括给体类型掺杂剂杂质和受体类型掺杂剂杂质的硅锭，确定其中发生在第一导电性类型和相反的第二导电性类型之间的转变的该锭的第一区域的位置的步骤(F1)，使用霍尔效应、傅立叶变化红外光谱法或者利用载流子寿命的方法测量该锭的与所述第一区域分开的第二区域中的自由载流子的浓度的步骤(F2)，和基于该锭的所述第一区域的位置和所述第二区域中的自由载流子的浓度确定样品中的掺杂剂杂质的浓度的步骤(F3)。专利说明确定补偿硅样品的掺杂剂含量技术领域[0001]本发明涉及硅样品中和更特别...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。