技术编号:8069266
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种预塌陷电容式微加工换能器单元(10),所述单元(10)包括基底(12)和覆盖总膜区域(A总)的膜(14),其中腔室(20)形成于所述膜(14)和所述基底(12)之间,所述膜包括孔(15)和围绕所述孔(15)的边缘部分(14a)。所述单元(10)还包括所述膜(14)上的应力层(17),所述应力层(17)相对于膜(14)具有预定应力值,所述应力层(17)适于在所述膜(14)上在朝向所述基底(12)的方向上提供弯曲力矩,以使得所述膜(14)的所述边缘部分(14a)塌陷至所述基底(12)。本发明还涉及...
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