技术编号:8069399
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及用于生产结晶半导体锭的坩埚(1),所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积,所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分,所述周边侧壁(1b)各自包括内表面,所述内表面包括基本上竖直的平面部分,其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于第一水平平面(H),所述侧壁(1b)在底板(1a)的周边通过形成至少1mm的曲率半径R1而连接底板(1a),其特征在于,在第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的基本上竖直的平面部分限定的基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv...
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