技术编号:8070229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种N型磷化铟单晶生长制备配方,该配方按原料重量百分比组成为InP多晶料96.50~97.50%,三氧化二硼1.40~2.00%,红磷1.00~1.50%,硫0.01~0.02%。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶,且生产效率高,降低消耗、提高劳动生产率,制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其平均EPD小于5.0×104cm-2,载流子浓度小于3.8×1018cm-3。专利说明一种N型磷化铟单晶生长制备配方 技术领域 [0001]本发明属于半导体材料制备领域,具体...
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