技术编号：8070663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N10∶xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。该钐掺杂稀土氮化硅发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该钐掺杂稀土氮化硅发光材料的制备方法及其应用。专利说明钐掺杂稀土氮化硅发光材料、制备方法及其应用 技术领域[0001] 本发明涉及一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料、其制备方法、钐掺杂稀土氮化硅发 光薄膜、其制备方法、薄...
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