技术编号：8071224
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种，包括如下步骤制备由碳化硅制成的晶锭；通过切割所制备的晶锭获得碳化硅衬底；蚀刻碳化硅衬底的硅表面；以及在蚀刻碳化硅衬底之后对碳化硅衬底的蚀刻表面进行抛光。蚀刻碳化硅衬底的硅表面的步骤包括利用氯气从蚀刻区移除形成碳化硅的硅原子的步骤，蚀刻区包括碳化硅衬底的蚀刻主面。专利说明技术领域[0001]本发明涉及一种，更特别地，涉及一种能以高精度进行处理的制造碳化娃衬底的方法。背景技术[0002]近年来，为了在半导体器件中实现高击穿电压、低损耗等，已经开始采用碳化硅作为半导体器件的材料。碳化硅是一种带隙宽度大于硅的...
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