技术编号：8072488
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种GTR-KTP晶体的制备方法，先制备KH2PO4晶体料，然后在超环境下分段加热形成均匀稳定的高温溶液，采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR-KTP晶体，本发明制备的KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，能有效的抵抗灰迹产生，使KTP晶体的倍频转换效率得到显著增强。在测试的1000秒时间内，是用100mw、532nm绿光照射GTR-KTP晶体，系统吸收基本保持稳定，显示了其良好的抗灰迹效果。专利说明—种GTR-KTP晶体的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种GTR-KTP 晶体(Gra...
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