技术编号：8072622
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及晶体生长炉领域，旨在提供。该可连续生产的区熔炉装置包括炉体、炉室法兰、直线单元、连接块、旋转单元和切割片；该可连续生产的区熔炉装置的工艺控制方法包括籽晶与熔融硅液熔接拉制出硅单晶。本发明在硅单晶生长过程中，需重新开始下一次单晶生长时，本发明可对硅单晶进行切除，迅速重新进行下一次单晶生长，可实现连续生产，节省大量氩气、电能、工时，降低生产成本，并提高单晶生产效率。专利说明技术领域[0001]本发明是关于晶体生长炉领域，特别涉及。背景技术[0002]区熔法(FZ)生产单晶硅是区别于直拉炉(CZ)的一种...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。