技术编号:8073162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供了多晶硅锭的制备方法,包括以下步骤在坩埚内壁设置一层厚度为2μm-1mm的碳层,然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料;控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度,使所述熔融状态的硅料开始结晶;待全部结晶完后,经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭,以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭杂质氧含量低、晶粒较小、均匀、规则、位错密度低。专利说明多晶娃锭及其制备方法、多晶娃片和多晶娃铸锭用i甘埚技术...
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