技术编号:8073361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及钽酸锂晶体的制备方法,特别地涉及一种近化学计量 比钽酸锂晶体的制备方法。技术背景钽酸锂(LiTa03,简称LT)晶体是一种优良的光电材料,广泛 应用于制作各种功能器件。目前商业上使用的主要是同成份钽酸锂 (CongruentLiTa03,简称CLT, [Li]/[Ta]=48.7551.25 )晶体,由于CLT 存在锂(Li)空位和钽(Ta)反位等本征缺陷,严重影响CLT的性能, 诸如较高的矫顽场,相对低的抗光损伤阈值等。随着Li/Ta比的不断 提高并逐渐靠近化学计量比([Li]/[Ta]=ll)...
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