技术编号：8073653
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开的晶体生长速度检测方法包括以下步骤分别检测第一时刻和第二时刻坩埚内熔体液面的高度，得到熔体液面的高度变化值；根据公式计算晶体界面生长速度；或者根据公式计算晶体重量生长速度。上述方案相比于背景技术所述的通过探测棒直接伸入到晶体界面，通过检测晶体界面的推进计算晶体生长速度而言，能够避免探测棒与晶体界面处的接触，进而避免对晶体界面处熔体的影响，最终能够提高晶体质量及晶体生长的稳定性。本发明还公开了一种晶体生长速度检测系统。基于上述晶体生长速度检测方法及系统，本发明还公开了一种晶体生长速度控制方法及系统。...
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