技术编号：8074014
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；将经热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。根据直拉单晶硅片中引入铜杂质的温度不同，采取不同的热处理工艺，从而有效地避免洁净区中出现铜沉淀。对洁...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。