技术编号：8074583
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及掺镓直拉硅单晶的制备技术，特别一种直拉法生长掺镓硅单晶的方 法和装置。在晶体生长工艺中压縮晶锭的纵向电阻率分布范围，使其完全分布在目前晶 硅太阳电池制备的电阻率范围之内。背景技术国内外有不少关于掺Ga硅单晶电阻率分布工艺及特性研究的文献报道。裴素华等 报道了(Ga在Si02/Si系下的扩散模型与分布规律，稀有金属材料与工程，2005， 6, 920-923.)利用二次离子质谱分析、薄层电阻测量方法，对Ga在Si02/Si系下的扩散特 性、硅表面及体内分布进行了装置研究，并得出结论。日本也有掺镓...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。